特許

J-GLOBAL ID：200903004583555782

青色発光素子

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114543
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260682
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる実用的でしかも新規な構造を提供する。【構成】 第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてSi濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する青色発光素子。

請求項（抜粋）：

第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてSi濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。