特許

J-GLOBAL ID：200903004586583140

複合多孔質絶縁膜およびその形成方法、ならびに電子装置およびその製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-315106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150510
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の多孔質絶縁膜の機械的強度を向上し、これを用いた半導体装置等の電子装置の信頼性を高める。【解決手段】 多孔質絶縁膜として、シリコンと他種金属との複合酸化膜あるいは複合酸化窒化膜からなる複合多孔質絶縁膜4を採用する。

請求項（抜粋）：

基体上に有機シリコーン化合物および有機金属化合物を含む複合ゲル被膜を形成する工程と、前記複合ゲル被膜に熱処理を施す工程とを具備することを特徴とする複合多孔質絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 U ,  H01L 21/318 Z ,  H01L 21/90 L ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 Q

Fターム (54件)：

5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ84 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR07 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033VV08 ,  5F033VV13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX25 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BB10 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC07 ,  5F058BC09 ,  5F058BF27 ,  5F058BF31 ,  5F058BF41 ,  5F058BF46 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BF54 ,  5F058BG03 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03