特許

J-GLOBAL ID：200903004589200994

センシング用の有機電界効果トランジスタ

発明者： セタイェシュ セパス ,  デ レーウヴ ダゴベルト エム
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-512714
公開番号（公開出願番号）：特表2009-539241
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

電界効果トランジスタは、ゲート電極層、第1誘電層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体、及び第2誘電層を有し、第1誘電層は、ゲート電極層の上に位置され、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体は、第1誘電層より上に位置され、ソース電極及びドレイン電極は、有機半導体と接触し、第2誘電層は、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体のアセンブリの上に位置され、電界効果トランジスタの動作する間、ゲート電極層及び第1誘電層を有するアセンブリのキャパシタンスは、第2誘電層のキャパシタンスよりも低い。このような電界効果トランジスタを含む更なるセンサシステム、及び分子を検出するシステムの使用が開示される。

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、 第1誘電層と、 ソース電極と、 ドレイン電極と、 有機半導体と、 第2誘電層と を有する電界効果トランジスタであって、 前記第1誘電層が前記ゲート電極層の上に位置され、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記有機半導体が、前記第1誘電層より上に位置され、 前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、前記有機半導体と接触し、 前記第2誘電層が、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体の前記アセンブリの上に位置され、 前記電界効果トランジスタが動作する間、前記ゲート電極層及び前記第1誘電層を有する前記アセンブリのキャパシタンスが、前記第2誘電層の前記キャパシタンスよりも低いことを特徴とする、電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  G01N 27/414

FI (10件)：

H01L29/78 625 ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301G ,  G01N27/30 301K

Fターム (20件)：

5F110AA30 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN28