特許

J-GLOBAL ID：200903004589399367

プラズマエッチング装置用電極およびそれを用いたプラズマエッチング装置

発明者： 中川 聡
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030418
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299385
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構造で、エッチング特性が安定な、信頼性の高いエッチング装置を提供する。【構成】 下部電極24は、アルミニウム部36とその上に形成された陽極酸化膜部37との二層構造であり、アルミニウム部36の表面38を研磨して表面粗さを1μm以下に仕上げた後に、陽極酸化法により陽極酸化膜を成長させ、さらに陽極酸化膜37の表面39を研磨して、表面粗さを1μm以下に仕上げて形成した。研磨はダイヤモンド研磨粉を用いたラッピング法で行った。被エッチング基板と下部電極24との間に表面平滑度の高い陽極酸化膜37が挟まるため、プラズマの陰極降下によりわずかに帯電した被エッチング基板が弱く下部電極24に吸着する。電極24表面の平滑度がよいため、弱い吸着でも接触面積が大きく、熱伝導がきわめてよく、基板温度を精度よく制御できる。

請求項（抜粋）：

導電性部の表面粗さが1μm以下で、かつ前記導電性部を陽極酸化し、その表面粗さが1μm以下である陽極酸化膜が前記導電性部上に設置されており、前記陽極酸化膜上に被エッチング基板が設置されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用電極。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-206125
  
• 特開昭57-149734
  
• 特開昭63-133632
  
• 特開平4-176122