特許

J-GLOBAL ID：200903004589620047

ダイヤモンド薄膜とダイヤモンド薄膜合成用基板の処理方法

発明者： 大久保 達也 ,  長本 英俊 ,  中田 忍
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社 ,  東京瓦斯株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-196399
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜の成膜初期において、高い結晶核形成密度を得るのに好適な下地基板の前処理技術を確立し、基板との密着性がよく、表面が平滑で、しかも薄くても連続膜となるダイヤモンド薄膜を提供すること。【構成】 成膜前の基板を、非含酸素有機溶剤中の分散硬質粒子に接触させるか、もしくは成膜前の基板を、乾燥雰囲気下の脱水した含酸素有機溶剤中の分散硬質粒子に接触させることにより活性化処理を行う。これにより、ダイヤモンド薄膜の成膜初期において、109 〜1010個/cm2 以上の高い結晶核形成密度を実現することができ、それ故に、基板との密着性がよく、表面が平滑で、しかも1μm未満でも連続膜となるダイヤモンド薄膜を確実に提供することができる。

請求項（抜粋）：

成膜初期の結晶核形成密度が109 個/cm2 以上となるような活性化処理が施された基板上に合成されたダイヤモンド薄膜であって、膜厚が0.95μm以下の連続膜であることを特徴とするダイヤモンド薄膜。