特許
J-GLOBAL ID:200903004592034221
縦型熱処理炉およびその設置構造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-259100
公開番号(公開出願番号):特開2001-085337
出願日: 1999年09月13日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】半導体基板面内の均一な処理を可能にし、簡素化された構造で且つ発塵の恐れがない、有効な縦型熱処理炉およびその設置構造を提供する。【解決手段】炉心管1内に複数の半導体基板2を搭載したボート3を載置し、炉心管内に反応ガス8を流して半導体基板に熱処理を施す縦型熱処理炉において、炉心管に複数の炉心管排気口11,12をたがいに等間隔に設ける。
請求項(抜粋):
筒状の炉心管内に複数の半導体基板を搭載したボートを載置し、前記炉心管内に反応ガスを流して前記半導体基板に熱処理を施す縦型熱処理炉において、前記炉心管に複数の炉心管排気口をたがいに等間隔に設けたことを特徴とする縦型熱処理炉。
IPC (2件):
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
FI (2件):
H01L 21/205
, H01L 21/22 511 S
Fターム (9件):
5F045BB02
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EC08
, 5F045EE20
, 5F045EF20
, 5F045EG01
, 5F045EG05
引用特許:
審査官引用 (5件)
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減圧CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-020733
出願人:三益半導体工業株式会社, 信越半導体株式会社
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CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-262741
出願人:国際電気株式会社
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縦型拡散装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-090525
出願人:株式会社東芝
-
特開平4-064892
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-154053
出願人:日本電気株式会社
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