特許

J-GLOBAL ID：200903004593213880

回路基板のアッシング方法及びその装置

発明者： 屋良 卓也 ,  湯浅 基和 ,  本間 孝治
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社 ,  株式会社ケミトロニクス
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346860
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151477
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程におけるアッシング工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でアッシングをすることができる効率的な方法及び装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させ、回路基板をアッシングする機構とアッシングされた回路基板の外観検査機構とを備えてなることを特徴とする回路基板のアッシング方法及び装置。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させ、回路基板をアッシングする機構とアッシングされた回路基板の外観検査機構とを備えてなることを特徴とする回路基板のアッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H05H 1/24

FI (3件)：

H01L 21/304 645 C ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 N

Fターム (15件)：

5F004AA13 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EB08