特許
J-GLOBAL ID:200903004598874132

半導体加速度センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊丹 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-086763
公開番号(公開出願番号):特開平6-273440
出願日: 1993年03月22日
公開日(公表日): 1994年09月30日
要約:
【要約】【目的】 出力温度依存性の低減,高感度化および歩留まり向上を可能とした半導体加速度センサを提供することを目標とする。【構成】 周辺に固定部11,中央に作用部12,これらの間に薄肉の可撓部13を有し、可撓部13表面にゲージ抵抗を形成した加速度センサチップ1を得る。一方、表面に中央の重錘体3となる部分と周辺の台座2となる部分を分離するための所定深さの第1の溝21が形成された補助基板20を用意し、これと加速度センサチップ1と接続して一体化する。そして補助基板20の裏面からレーザ光ビームを照射して、重錘体3の部分を取囲んで閉路をなしかつ第1の溝21に達するように第2の溝22を加工することにより、重錘体3の部分を台座2の部分から分離し、台座2は分割されることなく連続する一体物として残す。
請求項(抜粋):
半導体基板が、周辺の固定部と,中央の加速度により力を受ける作用部と,これら固定部と作用部の間を接続する薄肉の可撓部とに加工されて、前記可撓部の表面にゲージ抵抗が形成された加速度センサチップと、この加速度センサチップの固定部底面に接続された台座と、前記加速度センサチップの作用部底面に接続された重錘体とを備え、前記台座と重錘体とは一枚の補助基板を加工分離したものであり、かつ前記台座は連続する一体物であることを特徴とする半導体加速度センサ。

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