半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 小野塚薫 , 田上明夫 , ▲高▼ 昌宏 , 中村壽夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145781
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317883
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】ウエーハ内にライフタイムキラーとなる重金属を低濃度にかつ選択的に簡単に導入できるようにする。【解決手段】中心部に凹部21を有する重金属の板体20を載置するステージ10を用意し、該ステージ10の載置部に板体20を載置した後、この板体20にウエーハ薄板化工程を終えたウエーハ2を重ね合せる。そして、この状態で、板体20に設けた細孔23を通じてウエーハ2を吸引して、板体20の環状表面22とウエーハ2とを平面接触させる。この平面接触によりライフタイムキラーとしての重金属の微粒子がウエーハ2に選択的に付着し、その後、ステージ20から切離してウエーハ2を熱処理する。周辺部のライフタイムが中心部よりも長い傾向にあるウエーハを対象にした場合、ウエーハ2の周辺部に対する重金属導入によって、ウエーハ面内のライフタイムが均一化される。【選択図】図3

請求項１：

ライフタイムキラーとしての重金属をウエーハに平面接触させて、該ウエーハの一面に重金属の微粒子を付着させる重金属付着工程と、前記重金属付着工程を終えたウエーハを加熱して、該ウエーハ内部に重金属を熱拡散させる熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (3件)：

H01L29/78 658H , H01L29/78 655Z , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特公平6-46633号公報
特開平3-204938号公報

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