特許
J-GLOBAL ID:200903004604901651
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-240438
公開番号(公開出願番号):特開平6-089948
出願日: 1992年09月09日
公開日(公表日): 1994年03月29日
要約:
【要約】【目的】 低応力性、耐熱性に優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体を提供するものであり、特に、低応力性、耐熱性に優れた透明封止樹脂により樹脂封止された光半導体を提供する。【構成】 熱硬化性樹脂、硬化剤成分、および水酸基量が5×10-5mol/g以下であり、かつ粒子径が0.1μm以下であるシリカ粒子を含む樹脂組成物によって半導体素子を封止して半導体装置とする。
請求項(抜粋):
下記の(A)〜(C)成分を含む樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)熱硬化性樹脂。(B)硬化剤成分。(C)水酸基量が5×10-5mol/g以下であり、かつ粒子径が0.1μm以下であるシリカ粒子。
IPC (4件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08K 7/10 KCJ
, C08L101/00
引用特許:
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