特許
J-GLOBAL ID：200903004608248960
混成集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028315
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229531
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の熱膨張係数に近似した熱膨張係数の基板を有する混成集積回路装置を構成する。【解決手段】 セラミック基板11の側面および裏面を金属層12により覆う。セラミック基板11の表面には、導電パターン13が形成される。この導電パターンは、金属層12をエッチングすることにより、形成することができる。導電パターン13上には、半導体素子等の回路装置が実装される。なお、導電パターン13は、セラミック基板の両面に設けられても良い。
請求項１：
セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に第1の導電パターンを形成する金属層と、前記導電パターン上に実装された回路素子とを有することを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 25/04
, H01L 23/36
, H01L 25/18
H01L 25/04 Z
, H01L 23/36 C
