特許

J-GLOBAL ID：200903004609786397

表面処理方法及び処理剤

発明者： 林田 一良 ,  柿沢 政彦 ,  梅北 謙一 ,  名和 裕美 ,  村岡 久志
出願人/特許権者： 和光純薬工業株式会社 ,  株式会社ピュアレックス
代理人 (1件)： 平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095360
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321590
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】表面処理液からの吸着によるFeやAl等の金属汚染を抑止すると共に高い洗浄効果を有する改良された表面処理方法及び表面処理剤の提供。【解決手段】半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、縮合リン酸又はその塩錯化剤を存在させて該処理を行う方法、及び処理用薬剤。金属に対するOH基の配位を抑制する錯化剤を半導体表面処理剤又はリンス液中に含有させることで、吸着による汚染を低減できた。

請求項（抜粋）：

半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、縮合リン酸又はその塩(以下、これらを総称して、単に「本発明に係る錯化剤」と略記する。)を存在させて該処理を行う方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z