特許

J-GLOBAL ID：200903004609968096

プラズマ処理装置

発明者： 石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  八坂 保能 ,  安藤 真
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339748
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156004
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ波により処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより基板に対して成膜やエッチングなどの処理を行うにあたり、定在波の発生を抑え、基板上のプラズマ密度の均一性を高めること。【解決手段】 導波管の一端側を広げて拡径部を形成し、この拡径部の中に真空容器内の基板と対向するように誘電体を設け、更にこの誘電体の基板側の面に表皮厚さよりも薄い導電膜例えば厚さ1μm程度の金属膜を形成する。導波管を通ってきたマイクロ波は誘電体を介して導電膜に達し、エバネセントな電界が通りぬけて処理ガスをプラズマ化する。この電界は反射しないので定在波が立ちにくい。

請求項（抜粋）：

真空容器内に供給された処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより、真空容器内の載置台に載置された基板に対して処理を行うプラズマ処理装置において、高周波電源部と、この高周波電源部からの高周波を導く導波管と、この導波管の出口側に設けられた誘電体と、この誘電体に前記載置台に対向するように形成され、表皮厚さよりも薄いあるいは表皮厚さ程度の厚さの導電膜と、を備え、高周波が前記導電膜に入射し、この導電膜を通り抜けた電界に基づいて処理ガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (19件)：

4K030BA29 ,  4K030FA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045BB01 ,  5F045DP04 ,  5F045EC05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-081434
  
• 特開平4-137400
  
• 高周波導入部材及びプラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084044   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド