特許
J-GLOBAL ID：200903004610925813
半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021638
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216027
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 多孔質半導体を用いた単結晶半導体基板において、該多孔質半導体表面のパーティクルを除去する方法を提供する。【構成】 従来のSC-1溶液を用いたウエットエッチングによる基板の洗浄工程において、該溶液の温度を20〜60°Cに設定してエッチングを行なう。【効果】 多孔質半導体の孔径を広げてエピタキシャル成長を阻害することなく、表面のパーティクルを除去して優れた単結晶半導体基板を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体基体を多孔質化し、20〜60°Cのエッチング溶液で表面層を30Å以上孔径の3倍以下の厚さまでエッチング除去した後、非多孔質の半導体単結晶を成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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