特許
J-GLOBAL ID：200903004616434684
埋込みプラグの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137921
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349774
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールに対する埋込みプラグを高い信頼性をもって良好、確実に形成することができるようする。【構成】 絶縁層1に形成されたコンタクトホール2にオーミックコンタクト形成用金属層のTi層3と、TiN層4とを順次プラズマCVD法によって被着形成する工程と、その後、熱CVD法によって上記コンタクトホール2にTiN埋込み層5を埋込む工程とを採ってTiN/Ti埋込みプラグ6を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層に形成されたコンタクトホールにオーミックコンタクト形成用金属層のTi層と、TiN層とを順次プラズマ化学的気相成長法によって被着形成する工程と、その後、熱化学的気相成長法によって上記コンタクトホールにTiN埋込み層を埋込む工程とをとることを特徴とする埋込みプラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/90
