特許

J-GLOBAL ID：200903004618952704

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 松本 直樹 ,  吉川 潤 ,  西塚 哲也 ,  佐々木 勝
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 伊藤 英彦 ,  森下 八郎 ,  吉田 博由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-045023
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206192
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】プラズマ着火性を向上させると共に、適切にプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置11は、処理容器12内に配置され、その上に半導体基板Wを保持する保持台14と、保持台14と対向する位置に配置され、マイクロ波を処理容器12内に導入する誘電板16と、導入されたマイクロ波により処理容器12内に電界を生じさせた状態でプラズマ着火し、処理容器12内にプラズマを発生させるプラズマ着火手段と、保持台14と誘電板16との間隔を第1の間隔に変更して、プラズマ着火手段を作動させ、保持台14と誘電板16との間隔を第1の間隔とは異なる第2の間隔に変更して、半導体基板Wへのプラズマ処理を行うよう制御する昇降機構18を含む制御部20とを備える。【選択図】図1

請求項１：

その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、 前記処理容器内にプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、 前記処理容器内に配置され、その上に前記被処理基板を保持する保持台と、 プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、 前記保持台と対向する位置に配置され、マイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電板と、 導入されたマイクロ波により前記処理容器内に電界を生じさせた状態でプラズマ着火し、前記処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ着火手段と、 前記保持台と前記誘電板との間隔を第1の間隔に変更して、前記プラズマ着火手段を作動させ、前記保持台と前記誘電板との間隔を前記第1の間隔とは異なる第2の間隔に変更して、前記被処理基板へのプラズマ処理を行うよう制御する制御手段とを備える、プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/511

FI (4件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 B ,  H01L21/205 ,  C23C16/511

Fターム (25件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030JA03 ,  4K030KA02 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004CA06 ,  5F004CA07 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F045AA09 ,  5F045DP03 ,  5F045EB11 ,  5F045EH03 ,  5F045EH19 ,  5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (5件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-159186   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041566   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230600   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-209484
  
• 特開平4-132215
  

審査官引用 (4件)

• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041566   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-132215
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230600   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-209484