特許
J-GLOBAL ID：200903004618957358
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315334
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】CVDタングステンをコンタクト埋め込みと配線とに用いる際に、コンタクトの完全に埋め込まれていない部分に再びタングステンを埋め込み、コンタクトにおける金属配線の平坦化を行なう。【構成】絶縁膜2を隔てて下層配線3が形成されたシリコン基板1に層間絶縁膜4を堆積したのち、コンタクトを開口する。つぎにスパッタチタンタングステン5aを堆積したのち、CVDタングステン7を堆積する。つぎにアルミニウム合金8をスパッタする。つぎにスパッタチタンタングステン9bを堆積する。つぎにCVDタングステン10を堆積してコンタクトを埋め込む。つぎにCVDタングステン10およびスパッタチタンタングステン5aをエッチバックする。つぎにレジスト(図示せず)をマスクとしてアルミニウム合金8、CVDタングステン7、スパッタチタンタングステン5aを選択エッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された層間絶縁膜にコンタクトを開口する工程と、前記コンタクトにスパッタ法により第1の高融点金属を堆積したのち、CVD法により第2の高融点金属膜を堆積する工程と、前記第2の高融点金属膜上にスパッタ法によりアルミニウム合金膜を堆積する工程と、前記アルミニウム合金膜上および前記コンタクト内にスパッタ法により第3の高融点金属膜を堆積したのち、CVD法により第4の高融点金属膜を堆積する工程と、ドライエッチング法により前記アルミニウム合金上の前記第4の高融点金属膜および前記第3の高融点金属膜をエッチバックする工程と、前記アルミニウム合金膜、前記第2の高融点金属膜および前記第1の高融点金属膜からなる積層金属膜をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
