特許

J-GLOBAL ID：200903004625288585

シリコン基板の加工方法

発明者： 山岸 秀章 ,  蒲原 敦彦 ,  尾上 寧 ,  上村 敬司
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112174
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明はシリコン基板の加工方法に関し、その目的は、大変形を伴う制御性を持った実用化可能なシリコン基板の加工方法を提供することにある。【構成】 n型シリコン基板の少なくとも一部分に多孔質化処理を施す第1の工程と、その後酸化処理を施してn型シリコン基板を塑性変形させる第2の工程とからなる。

請求項（抜粋）：

n型シリコン基板の少なくとも一部分に多孔質化処理を施す第1の工程と、その後酸化処理を施してn型シリコン基板を塑性変形させる第2の工程、とからなるシリコン基板の加工方法。