特許

J-GLOBAL ID：200903004626581863

配線の形成方法

発明者： 水田 高之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001943
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206121
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】絶縁性または半絶縁性基板上に、無電解メッキ法で配線を形成する場合に、サイドエッチによる配線細りや、配線形成部以外にメッキ層が形成されるのを防ぐ。【構成】メッキ用触媒を含むフォトレジストを塗布し、配線パターンを転写した後プラズマ灰化し、次いでスパッタエッチングで配線パターン部以外に残存する触媒層を除去し、熱処理で密着性を向上した後無電解メッキを行う工程をそなえる。メッキ後にエッチングを行なわないためサイドエッチを考える必要がなく、配線パターン部以外にメッキが成長する触媒層を除いていることから不要なメッキの成長を防ぐ。

請求項（抜粋）：

基板上に配線を形成するに当り、無電解メッキの触媒を含有するフォトレジストを塗布する工程と、必要とする配線パターンを転写する工程と、転写したパターンをプラズマ灰化する工程と、スパッタエッチングを行う工程と、無電解メッキを行う工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。