特許
J-GLOBAL ID：200903004627711469
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049514
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249483
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 エッチングの終点判定が容易な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)酸化シリコン層10の上に、シリコン層20および高融点金属のシリサイド層30が順次積層された積層体を形成する工程、(b)シリサイド層30をエッチングする工程、(c)工程(b)の後に、シリコン層20をエッチングする工程を含む。工程(b)で使用されるエッチングガスは、フッ化硫黄を含む。
請求項１：
(a)第1層および第2層が順次積層された積層体を形成する工程、(b)前記第2層をエッチングする工程、(c)前記工程(b)の後に、前記第1層をエッチングする工程を含み、前記工程(b)で使用されるエッチングガスには、前記エッチングレートの面内均一性を高めるための添加ガスが添加され、前記工程(b)および工程(c)のエッチングの終点判定は、所定の発光波長の発光強度に基づいて行われる、半導体装置の製造方法。
Fターム (9件)：
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004CB02
, 5F004CB15
, 5F004DA04
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F004DB18
