特許

J-GLOBAL ID：200903004628903558

高周波伝送線路

発明者： 中島 健介 ,  堤 恒次 ,  末松 憲治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-325581
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141474
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】マイクロストリップ線路の高周波特性を劣化させることなく、シリコン半導体プロセスで実現可能な高周波伝送線路を得る。【解決手段】シリコン半導体基板10上に形成され、マイクロストリップ線路における接地導体を構成する金属薄膜20と、金属薄膜20上に形成され、マイクロストリップ線路における基板を構成する絶縁膜30と、絶縁膜30上に形成され、マイクロストリップ線路におけるストリップ導体を構成する金属厚膜40とを備えた高周波伝送線路において、金属薄膜20は、ストリップ導体の幅に相当する金属厚膜の幅方向の中心、かつ、金属厚膜の真下に複数のスリットからなる第1スリット群21を有する【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板上に形成され、マイクロストリップ線路における接地導体を構成する金属薄膜と、 前記金属薄膜上に形成され、前記マイクロストリップ線路における基板を構成する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、前記マイクロストリップ線路におけるストリップ導体を構成する金属厚膜と を備えた高周波伝送線路において、 前記金属薄膜は、前記ストリップ導体の幅に相当する前記金属厚膜の幅方向の中心、かつ、前記金属厚膜の真下に複数のスリットからなる第1スリット群を有する ことを特徴とする高周波伝送線路。

IPC (1件)：

H01P 3/08

FI (1件)：

H01P3/08

Fターム (1件)：

5J014CA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 信号伝送線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-210168   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-346888   出願人：ソニー株式会社
• 信号伝送線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-210168   出願人：三菱電機株式会社
• メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-430452   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 高周波用配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-051005   出願人：京セラ株式会社