特許
J-GLOBAL ID:200903004629042327

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-057817
公開番号(公開出願番号):特開平10-256513
出願日: 1997年03月12日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 昇圧回路とその電位を検出する検出回路とを内蔵したEEPROMにおいて、検出回路の抵抗体がゲート材料で構成され、抵抗値が低く面積の増大を招くとともに電位検出が安定して行えない。【解決手段】 p型基板10に、p-well領域11とp-well領域11を囲んでn-well領域12とを形成し、p-well領域11内にn型拡散層15から成る抵抗体を形成して検出回路を構成し、微細で高抵抗な抵抗体を有する信頼性の向上した検出回路を得る。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、外部電源電圧からプラスとマイナスとに昇圧する昇圧回路と、不純物拡散層で構成された抵抗体を有し、この抵抗体に上記昇圧回路によるプラスとマイナスとの昇圧電位をそれぞれ接続して所定部位の電位を検出することによって上記昇圧回路が所望の電位を発生したかどうかを検証する検出回路とを、回路構成して内蔵したことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 27/115 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/761 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件):
H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 632 A ,  H01L 21/76 J ,  H01L 29/78 371
引用特許:
出願人引用 (1件)

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