特許
J-GLOBAL ID：200903004631699015
半導体装置の実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021999
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 実装の信頼性を高める。【構成】 半導体装置が実装されるリードフレーム3のリード端子4と、半導体装置実装用基板1の電極パターン2とを、異方性導電樹脂5を介して接続する半導体装置の実装方法において、前記電極パターン2とリード端子4の上方に、下方に凸状の円弧状のヘッド7を具備した加圧装置6を配設し、該加圧装置6のヘッド7により前記電極パターン2とリード端子4を一端側から他端側に順次加圧し、同時に加熱することにより前記電極パターン2とリード端子4とを接続した。【効果】 半導体装置実装用基板1が反っている場合にも、円弧状のヘッド7を半導体装置実装用基板1の一端側から他端側にに向かって当接させながら加圧すれば、各リード端子2が均等に加圧され、リード端子4と電極パターン2が略均等の強さで接続されて、信頼性の高い接続ができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置が実装されるリードフレームのリード端子と、半導体装置実装用基板の電極パターンとを、異方性導電樹脂を介して接続する半導体装置の実装方法において、前記電極パターンとリード端子の上方に、下方に凸状の円弧状のヘッドを具備した加圧装置を配設し、該加圧装置のヘッドにより前記電極パターンとリード端子を加圧及び加熱することにより、前記電極パターンとリード端子とを接続したことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
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