特許

J-GLOBAL ID：200903004632304847

微細加工方法および装置

発明者： 杉村 博之 ,  中桐 伸行
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070955
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270413
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】エッチング等を利用して基板に所望の微細加工を施すための微細加工方法および微細加工装置を提供する。【解決手段】まず最初に、有機シラン系の物質を表面に吸着させた基板に第1の加工を施す部分にのみ光を照射し、有機シラン系の物質を分解する。つぎに、転写されたパターンを確認しながら、基板の第2の加工を行う部分に導電性の微小探針が来るように、移動させ位置決めする位置決め工程と、基板と微小探針との間に所望の電圧を印加しつつ基板と微小探針とを相対的に移動させ、その基板上の有機シラン膜を分解する。最後に、プローブリソグラフィー工程を経た基板をエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

有機シラン系の物質を表面に吸着させた基板に第1の加工を施す部分にのみ光を照射し、前記有機シラン系の物質を分解する光リソグラフィー工程と、前記光リソグラフィー工程で転写されたパターンを確認しながら、前記基板の第2の加工を行う部分に導電性の微小探針が来るように、前記基板と前記微小探針とを相対的に移動させ位置決めする位置決め工程と、前記基板と前記微小探針との間に所望の電圧を印加しつつ、前記基板と前記微小探針を相対的に移動させ、前記基板上の有機シラン膜を分解するプローブリソグラフィー工程と、前記プローブリソグラフィー工程を経た基板をエッチングするエッチング工程とを行うことを特徴とする微細加工方法

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/075 501 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

H01L 21/306 U ,  C23F 4/00 Z ,  G03F 7/075 501 ,  H01J 37/28 X ,  H01J 37/30 Z ,  H01L 21/30 502 W