特許

J-GLOBAL ID：200903004633904066

導電膜及び低反射導電膜の製造方法

発明者： 阿部 啓介 ,  久保田 恵子 ,  森本 剛 ,  平塚 和也 ,  竹宮 聡
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-350815
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166423
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【構成】レニウム化合物と、Si、Zr、Ti、Al、Sn、In等の化合物を含む塗布液をガラス基体上に塗布、加熱して導電膜を形成する。さらにその上に低屈折率膜を形成し、低反射導電膜を形成する。【効果】大面積にわたり、効率よく優れた低反射導電膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

レニウム化合物とその他の金属化合物とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱かつ又は紫外線を照射して成膜することを特徴とする酸化レニウムを含む導電膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 1/00 ,  C01G 47/00 ,  H01B 5/14 ,  H01J 9/20 ,  H01J 29/88