特許

J-GLOBAL ID：200903004634544810

分子線エピタキシャル成長法およびその装置

発明者： 山田 隆史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043206
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243150
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 GaAs等のIII-V族化合物半導体での分子線エピタキシャル成長において、分子線照射に先立って行なわれる基板表面の清浄化処理をより低温で行ない、界面準位密度を低く抑えてエピタキシャル成長を行なう。【構成】 表面処理チャンバ5内において真空中で保持されたGaAs基板12の表面12′を、ガス供給系1から供給される水素にレーザ装置2からレーザ光を照射してラジカルを生成させ、このラジカルを含むガスで基板表面12′を処理する。次いで、真空状態を保ちながら、基板12を搬送室11aおよび11bを介して成長室8まで搬送し、成長室8内で処理された基板表面に分子線を照射してエピタキシャル層を形成させる。

請求項（抜粋）：

真空中で保持されたIII-V族化合物半導体基板の表面を、水素および前記V族元素の水素化合物の少なくともいずれかを用いて光照射によりラジカルを生成させたガスで処理する工程と、真空状態を保ちながら、処理された基板表面に分子線を照射してエピタキシャル層を形成する工程とを備える、分子線エピタキシャル法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-150702
  
• 特開平3-261308
  
• 特開平4-071936
  
• 特開平3-204465