特許

J-GLOBAL ID：200903004642952880

多結晶シリコン薄膜の製造方法

発明者： 熊谷 啓二 ,  田村 文孝
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326414
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 結晶粒径が大きくしかも短時間で成膜可能な多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供すること。【構成】 高温(数千〜一万度)プラズマを発生させる高温プラズマ発生部1と、これに隣接して設けられた反応室3とでその主要部が構成される成膜装置のプラズマ発生部1内にシリコン原料を導入し、この溶融又は分解されたシリコン原料を基板2上に成膜させて多結晶シリコン薄膜を形成する方法。そして、高温プラズマ中でシリコン原料を分解させているため従来法では適用困難であった分解温度の高いシリコン原料や金属級シリコン粒子の適用が可能になると共に、シリコン原料の溶融又は分解速度が速まって基板上への溶融又は分解物の供給速度も速まるため多結晶シリコン薄膜の成膜速度の向上が図れ、かつ、プロセス全体が高温条件下で行われるため結晶粒径の大きい多結晶シリコン薄膜を求めることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコン薄膜を形成する多結晶シリコン薄膜の製造方法において、大気圧又は大気圧近傍の圧力条件下で高温プラズマを発生させ、この高温プラズマ中にシリコン原子が含まれるシリコン原料を導入してこの原料を溶融又は分解させると共に、この溶融又は分解物を耐熱性基板上に成膜させて多結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04