特許
J-GLOBAL ID：200903004647309284
マイクロ波半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074517
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波特性の優れたマイクロ波半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 マイクロ波半導体チップ2の入力側あるいは出力側の少なくとも一方の側に、第1の誘電体基板3を配置する。また、第1の誘電体基板3の一部に低く形成された段差部分を形成する。そして、第2の誘電体基板10の両面に金属電極11、12を形成してキャパシタを構成し、第2の誘電体基板10を第1の誘電体基板3の段差部分に配置する。
請求項（抜粋）：
金属プレート上に配置されるマイクロ波半導体チップと、このマイクロ波半導体チップの入力側あるいは出力側の少なくとも一方の側で、前記金属プレート上に配置される第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板上に形成される金属線路と、この金属線路と前記マイクロ波半導体チップとの間に接続され、一方の電極が接地されるキャパシタとを具備したマイクロ波半導体装置において、前記キャパシタを、金属電極が両面に形成された第2の誘電体基板で構成し、この第2の誘電体基板を、前記第1の誘電体基板の一部に低く形成された段差部分に配置したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
IPC (3件)：
H01P 5/08
, H01P 5/12
, H03F 3/60
