特許
J-GLOBAL ID：200903004650145624
電子放出素子の製造方法、ならびにこの電子放出素子を備えた電子源および画像形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170760
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330657
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 大面積にわたって容易かつ低コストで均一な特性の電子放出素子を形成する。【解決手段】 絶縁性基体上に形成された対向する一対の素子電極と、その間に形成された電子放出部を有する導電性薄膜とを有する表面伝導型電子放出素子を製造するに際し、前記導電性薄膜を有機金属薄膜の熱分解によって形成するとともに、その有機金属薄膜202はあらかじめ別の基体201上にLangmuir-Blodgett 法により形成し、その基体から前記絶縁性基体1上に移し取る。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された対向する一対の素子電極と、その間に形成された電子放出部を有する導電性薄膜とを有する電子放出素子の製造方法であって、前記導電性薄膜を有機金属薄膜の熱分解によって形成する電子放出素子の製造方法において、前記有機金属薄膜はあらかじめ別の基体上にLangmuir-Blodgett 法により形成し、その基体から前記基体上に移し取ることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
