特許

J-GLOBAL ID：200903004650288166

半導体素子の評価方法

発明者： 佐々木 和久
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015612
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213760
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 正確な寿命評価を行うことができる半導体素子の評価方法およびそれに適した絶縁破壊耐性評価用半導体集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明の半導体素子の評価方法では、サンプルが絶縁破壊した後に流れる過大電流防止用として、サンプルに対して従来の抵抗素子の代わりに直列にヒューズを入れ、電流を流すようにした。こうすることで、従来評価法のように保護用抵抗を入れることで生じる、サンプルのストレス電圧のバラツキをなくすことができ、正確な半導体素子の評価が可能となる。またサンプルが絶縁破壊する場合、最初は絶縁破壊により電流値が上昇するが、その後ヒューズが切断されるため電流値は減少する。このことを利用してサンプルが絶縁破壊したことを知ることができる。

請求項（抜粋）：

電圧源と電流計との直列回路中に並列接続された複数の評価用半導体素子を接続して前記評価用半導体素子の酸化膜の絶縁破壊耐性を調べるTDDB評価方法において、前記評価用半導体素子それぞれに対して直列にヒューズを入れることを特徴とする半導体素子の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/14 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 Q ,  G01R 31/14 ,  G01R 31/26 H