特許

J-GLOBAL ID：200903004651475512

光半導体集積回路

発明者： 高橋 強 ,  大古田 敏幸 ,  金子 智
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095451
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283788
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 2行2列のフォトダイオードを形成し、この上に光スポットを照射し、フォトダイオードの出力により位置ズレを検出する光半導体集積回路に於いて、フォトダイオードを囲む分離領域の幅が大きいと、この分離領域に発生する光キャリアが消滅し、フォトダイオードの出力を低下させてしまう問題があった。【解決手段】 第2のエピタキシャル層23に於いて、第3の分離領域27上にLOCOS酸化膜(傾斜を有する酸化膜)50を形成すれば、この分離領域に入射した光は、LOCOS酸化膜の傾斜を有する界面で屈折し、本来分離領域で光キャリアを発生させる光が、フォトダイオードの方で発生する。分離領域は不純部濃度が高いので光キャリアの消滅量が多いが、屈折させることで、光キャリアの消滅を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に2層の半導体層が積層され、前記半導体層には少なくとも2つの光素子が組み込まれ、この2つの光素子間には、前記半導体基板から第2層目の半導体層まで到達する分離領域で囲まれて成り、前記分離領域は、前記半導体基板と前記1層目の半導体層の境界から広がる第1の分離領域と、前記第1層目の半導体層と前記第2層目の半導体層の境界から広がる第2の分離領域と、前記第2層目の半導体層の表面から下層に広がる第3の分離領域を有する光半導体集積回路に於いて、前記2つの光素子の間に形成される前記第3の分離領域には、この第3の分離領域に入射される光を屈折させて、前記2つの光素子を形成する第1層目または第2層目の半導体層へ入射させる手段を設けることを特徴とした光半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/14 Z