特許

J-GLOBAL ID：200903004652488553

高周波モジュールおよびその製造方法

発明者： 竹原 秀樹 ,  ▲吉▼川 則之 ,  金澤 ▲邦▼彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280468
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 電磁波を遮蔽しつつも低背化に有利な構造を有する高周波モジュールを提供する。【解決手段】 基板1の一表面上に搭載された高周波半導体素子2、さらには電子部品3を封止するように絶縁性樹脂5を形成し、さらに、この絶縁性樹脂の表面に金属薄膜6を形成する。この金属薄膜6により電磁波遮蔽効果を得る。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の一表面上に搭載された高周波半導体素子とを有する高周波モジュールであって、少なくとも前記高周波半導体素子を封止するように形成された絶縁性樹脂と、前記絶縁性樹脂の表面に形成された金属薄膜とをさらに有することを特徴とする高周波モジュール。

IPC (3件)：

H01L 23/00 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/00 C ,  H01L 23/28 F ,  H01L 23/12 E

Fターム (7件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109DA04 ,  4M109DA06 ,  4M109DB15 ,  4M109EE07 ,  4M109GA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高周波モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026352   出願人：株式会社村田製作所
• 高周波モジュール部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-052619   出願人：京セラ株式会社