特許
J-GLOBAL ID:200903004653380209

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-122114
公開番号(公開出願番号):特開2000-315795
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 配線金属とソース領域あるいはドレイン領域との電気的な接続の信頼性を向上する目的でシリコン膜表面の自然酸化膜の除去に使用される希フッ酸処理によるゲート電極の損傷を防止し、アルミニウムを用いた低抵抗ゲート配線を可能とする。【解決手段】 フッ酸に不溶である材質からなる第1のゲート電極膜と、第1のゲート電極膜よりも低い比抵抗の材質からなる第2のゲート電極膜と、層間絶縁膜と、配線金属膜を有し、第1のゲート電極膜と配線金属膜を電気的に接続し、第1のゲート電極膜と第2のゲート電極膜を電気的に接続し、第2の電極膜と配線金属膜を層間絶縁膜で分離した。
請求項(抜粋):
基板と前記基板上に形成され、そしてソース領域、ドレイン領域に不純物を注入された半導体膜と前記半導体膜のチャネル領域を含む少なくとも一部分を覆うゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を挟んで少なくとも一部分が前記半導体膜と対向する、そしてフッ酸に不溶である材質からなる第1のゲート電極膜と、前記第1のゲート電極膜よりも低い比抵抗の材質からなる第2のゲート電極膜と、層間絶縁膜と、配線金属膜を有し、前記第1のゲート電極膜と前記配線金属膜を電気的に接続し、前記第1のゲート電極膜と前記第2のゲート電極膜を電気的に接続し、前記第2の電極膜と前記配線金属膜を前記層間絶縁膜で分離したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500
FI (3件):
H01L 29/78 617 M ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 L
Fターム (40件):
2H092HA28 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE37 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL26 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

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