特許
J-GLOBAL ID：200903004654265101
気相成長装置の清掃方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072253
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283429
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 反応管を取外して大気に曝した際に、リンを含む堆積物が発火したり、毒ガスを放出したりすることを防止し、短時間で安全に清掃を行える気相成長装置の清掃方法を提供する。【構成】 気相成長処理後に、反応管2の内壁面に付着した堆積物Aをブラシ体14によって剥離する。その後、酸素を含む不活性ガスを流して堆積物表面のリンを酸化させた後、反応管2を取外して清掃する。
請求項（抜粋）：
リン化合物を含む原料ガスを用いて基板上に半導体薄膜を形成する気相成長装置の清掃方法において、気相成長処理後に、反応管等の内壁面に付着した堆積物を剥離し、酸素を含む不活性ガスを流して剥離した堆積物表面のリンを酸化させた後、前記反応管を取外して清掃することを特徴とする気相成長装置の清掃方法。
引用特許：
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