特許

J-GLOBAL ID：200903004655521870

シリコンの鋳造法

発明者： 才田 英明 ,  湯本 芳明 ,  山谷 宗義
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-175809
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【課題】 離型材を複数層塗布しなければならなかったり、離型材が鋳型に付着したり、シリコンの鋳塊が鋳型に付着して欠落するという問題があった。【解決手段】 鋳型の内表面に離型材を塗布してシリコン融液を注湯するシリコンの鋳造法において、前記離型材として窒化シリコンと二酸化シリコンを28:72〜75:25の重量比率で混合したものを用いる。

請求項（抜粋）：

鋳型の内表面に離型材を塗布してシリコン融液を注湯するシリコンの鋳造法において、前記離型材として窒化シリコンと二酸化シリコンを28:72〜75:25の重量比率で混合したものを用いることを特徴とするシリコンの鋳造法。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/18

FI (3件)：

C01B 33/02 E ,  C30B 29/06 Z ,  H01L 21/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-108515