半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396324
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198560
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】クラックの発生が防止されて、高輝度であって長寿命である。【解決手段】Si基板11上に、複数の開口部を有する絶縁膜18が設けられており、絶縁膜18の各開口部18aに、窒化物半導体材料によって発光層を有する柱状多層構造体20が形成されている。絶縁膜18上には、各柱状多層電極体同士を相互に電気的に接続する透明電極16が、絶縁膜18のほぼ全体にわたって設けられている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体材料によって発光層を有する積層構造にそれぞれが形成された複数の柱状多層構造体が、シリコン基板上に、相互に絶縁状態で設けられており、各柱状多層電極体同士が電極によって相互に接続されていることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (10件)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041FF01

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