薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263698
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】ガラス基板1上にCrゲート電極2,ゲート絶縁膜窒化シリコン3,非晶質もしくは多結晶シリコンからなる能動層4,p型微結晶シリコン5,n型微結晶シリコン6,ソース,ドレイン電極10,11を形成する。ついで、n型微結晶シリコンを選択的にドライエッチングしてオーミックコンタクト層12を形成する。【効果】n型半導体に対するドライエッチング速度を遅くして、能動層の上のn型半導体を選択的にエッチング除去することを可能にし、能動層を極薄膜化した薄膜トランジスタを製造できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成され、ゲート電極,ゲート絶縁膜,半導体からなる能動層,半導体に不純物をドーピングして形成されたオーミックコンタクト層,ソース電極,ドレイン電極を有する逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、前記能動層と前記オーミックコンタクト層との接合面から前記能動層の少なくとも一部の領域がp型半導体であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 21/306 F

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