特許
J-GLOBAL ID：200903004666471432
集積化磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297463
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗素子部の各抵抗体の抵抗値を、磁気特性を低下させることなく、容易に高精度化する。【構成】 集積化磁気抵抗センサの磁気抵抗素子部の抵抗値を、強磁性体薄膜パターンのみで設定し、折り返し部のパターン幅方向の長さをパターン長方向の長さ以上にすれば、強磁性体薄膜パターンを損傷することなく、各抵抗体内の磁化容易軸方向をできるだけ一定にすることができる。【効果】 磁気抵抗素子部の各抵抗体の抵抗値の高精度化は、オフセット電圧、デューティ比、オン磁界強度の高精度化という効果がある。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された強磁性体薄膜からなる磁気抵抗体を備え、前記磁気抵抗体に外部から磁界が与えられると電圧を出力する磁気抵抗センサにおいて、前記強磁性体薄膜は、該強磁性体薄膜が形成された領域で同一の膜構成を有し、 磁界が与えられていないときの前記磁気抵抗体の抵抗値が、前記強磁性体薄膜のみで設定されていることを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01D 5/245
, G01R 33/09
, G11B 5/02
, G11B 5/39
