特許
J-GLOBAL ID：200903004668820469
イオナイザ用エミッタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041532
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260262
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 この発明の目的は、放電時にスパッタリングを起こしにくく、それ自身からの塵埃の発生が十分に少なく、イオン収量が高く、半導体デバイスの特性の劣化および歩留りの低下を十分に防止できると共にそれ自体の耐久性に優れ、しかも簡単な工程で効率よく生産することができる実用上著しく有利なイオナイザ用エミッタを提供することである。【構成】 この発明のイオナイザ用エミッタは、エミッタ先端部をダイヤモンド薄膜で被覆してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
エミッタ先端部をダイヤモンド薄膜で被覆してなることを特徴とするイオナイザ用エミッタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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