高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050997
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】ホロー放電を生じさせながら高密度プラズマを形成させる高周波放電において、プラズマ密度の不均一性の問題を解消させて基板処理に利用する。【構成】 rfホロー放電用電極34の表面には複数の周状の溝35が同心状に形成され、それらの溝35の開口の大きさはホロー放電が生じる程度の大きさに設定されている。そして、複数の溝35の深さは、補助電極部材36が当該溝35に適宜嵌入されることで、放電空間のプラズマ密度が高くなり易い部分に相当する位置の溝35は浅く、プラズマ密度が低くなり易い部分に相当する位置の溝35は深くなっており、この結果、放電空間のプラズマ密度の分布を均一化させることが可能な深さ分布の溝35になっている。

請求項（抜粋）：

放電用ガスが存在する放電空間を挟むようにして他の電極と向かい合わせて配置される高周波放電用電極であって、当該高周波放電用電極又は当該他の電極の一方又は双方に高周波電力を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成する高周波放電用電極において、当該高周波放電用電極の当該他の電極に対向する対向面には複数の溝が形成され、この複数の溝の開口の大きさはホロー放電が生じる程度の大きさに設定されているとともにそれら溝の深さは、一対の電極の間の放電空間の対向面方向においてプラズマ密度が高くなり易い部分に相当する位置の溝は浅く当該方向においてプラズマ密度が低くなり易い部分に相当する位置の溝は深くなっており、この結果、当該方向における放電空間のプラズマ密度の分布を均一化させることが可能な深さ分布の溝になっていることを特徴とする高周波放電用電極。

IPC (4件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-226147
特開平1-226148
特公平3-038345

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