特許
J-GLOBAL ID:200903004671832451

残留物レベルの低い感光性組成物の連続液体処理のための方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-535969
公開番号(公開出願番号):特表2002-507004
出願日: 1999年03月05日
公開日(公表日): 2002年03月05日
要約:
【要約】少なくとも1つの親水基をもつヘキサアリールビイミダゾール化合物の光開始剤の使用によって、現像した感光性組成物の最小化が実現する。
請求項(抜粋):
基板上にパターン化したマスクを作成する方法であって、前記方法は、 (a)第一基板の表面に水性にて現像可能なフォトレジストを塗布するステップであって、前記フォトレジストが光開始剤を含むステップと、 (b)化学線にイメージ通りに露光してフォトレジスト中に露光領域および非露光領域を形成するステップと、 (c)イメージ通りに露光したフォトレジストをアルカリ性水溶液試料で処理して、フォトレジストの露光領域または非露光領域のいずれかを除去するステップと、 (d)ステップ(a)から(c)を少なくとも5回反復するステップであって、各反復では新しいフォトレジスト試料および新しい基板および本質的に同一なアルカリ性水溶液試料を使用するステップとを含み、 光開始剤が少なくとも1つの親水性基を有する少なくとも1種のヘキサアリールビイミダゾール化合物を含み、かつ3gの非露光フォトレジストを100gのアルカリ性水溶液にて処理すると0.05g未満の析出物が生成されることを特徴とする方法。
IPC (3件):
G03F 7/031 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/42
FI (3件):
G03F 7/031 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/42
Fターム (20件):
2H025AA04 ,  2H025AB01 ,  2H025AB09 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025CA28 ,  2H025FA17 ,  2H025FA48 ,  2H096AA01 ,  2H096AA23 ,  2H096AA26 ,  2H096BA05 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096LA03 ,  2H096LA18
引用特許:
審査官引用 (11件)
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