特許
J-GLOBAL ID:200903004678774295

シクロブテンジオン誘導体結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡部 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-260634
公開番号(公開出願番号):特開平6-087802
出願日: 1992年09月04日
公開日(公表日): 1994年03月29日
要約:
【要約】【目的】 光波長変換素子として使用可能な大きなサイズのシクロブテンジオン誘導体の単結晶を製造する方法を提供する。【構成】 下記構造式(I)【化1】(式中、*は不整炭素原子を意味する。)で示されるシクロブテンジオン誘導体を極性溶媒中に溶解し、雰囲気温度10〜40°Cの範囲において、温度変動幅を±1°C以内に保ちながら、1分間に0.1〜100mm3 の蒸発速度で溶媒を蒸発させることによりシクロブテンジオン誘導体の単結晶を製造する。
請求項(抜粋):
下記構造式(I)【化1】(式中、*は不整炭素原子を意味する。)で示されるシクロブテンジオン誘導体を極性溶媒中に溶解し、雰囲気温度10〜40°Cの範囲において、温度変動幅を±1°C以内に保ちながら、1分間に0.1〜100mm3 の蒸発速度で溶媒を蒸発させることを特徴とするシクロブテンジオン誘導体結晶の製造方法。
IPC (2件):
C07C225/22 ,  C07C221/00

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