特許
J-GLOBAL ID：200903004680599557
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022910
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【目的】 多層構造の半導体装置において、中間層における信号線の配線を容易にする。【構成】 半導体装置1は、シリコン基板2上にコンタクトホール5を備え、更に中間層21、22等が積層されている。中間層には信号線7が配線されており、最上層にはボンデングパットに接続された電源配線3が形成されている。各中間層には垂直に重ねられたスルーホール4、6、8が形成してあり、これらスルーホールによって最上層の電源配線3とコンタクトホールとが接続してある。したがって、各中間層においてスルーホールに接続した電源配線が形成されていないことから、信号線を配線するための面積を広くでき、信号線の配線を容易に行なうことができる。
請求項（抜粋）：
3層以上の配線構造を有する半導体装置において、前記配線層のうち最上層の電源配線層とコンタクトホールを有するコンタクトホール層以外のいずれかの中間層において前記電源配線層と前記コンタクトホールとを接続するスルーホールの少なくとも1つに該中間層内の配線を接続させないことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 A
, H01L 21/90 B
