特許
J-GLOBAL ID:200903004681093851
回路基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-280998
公開番号(公開出願番号):特開2001-102703
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】回路板とセラミックス基板との接合密着強度の強いAl回路基板を提供する。【解決手段】セラミックス板に、少なくとも前記セラミックス板に対向する面がアルミニウムを主成分とする金属からなる回路板を設けてなるセラミックス回路基板であって、セラミックス板に隣接してMgと酸素Oとを含む層が存在することを特徴とし、好ましくは、前記層の厚さが2nm以上20nm以下であるセラミックス回路基板。
請求項(抜粋):
セラミックス板に、少なくとも前記セラミックス板に対向する面がアルミニウムを主成分とする金属からなる回路板を設けてなるセラミックス回路基板であって、セラミックス板に隣接してマグネシウム(Mg)と酸素(O)とを含む層が存在することを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (4件):
H05K 1/09
, H05K 1/03 610
, H05K 1/03
, H05K 3/38
FI (5件):
H05K 1/09 C
, H05K 1/09 B
, H05K 1/03 610 D
, H05K 1/03 610 E
, H05K 3/38 C
Fターム (30件):
4E351AA07
, 4E351AA08
, 4E351AA09
, 4E351BB01
, 4E351BB33
, 4E351BB36
, 4E351BB38
, 4E351CC06
, 4E351DD04
, 4E351DD10
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD21
, 4E351DD54
, 4E351GG02
, 4E351GG03
, 4E351GG04
, 5E343AA24
, 5E343BB22
, 5E343BB24
, 5E343BB28
, 5E343BB39
, 5E343BB44
, 5E343BB59
, 5E343BB67
, 5E343DD32
, 5E343DD54
, 5E343DD76
, 5E343ER39
, 5E343GG02
引用特許:
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