特許

J-GLOBAL ID：200903004682830728

ダイヤモンド膜の形成方法

発明者： デービット・ステファン・ブハエンコ ,  ピーター・ジョン・エリス ,  キャロライン・エリザベス・ビア
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-135858
公開番号（公開出願番号）：特開平9-020591
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の予備核生成の均一性を向上させ、ダイヤモンド蒸着工程に必要な一部の工程を反応器の外部で行うことにより、ダイヤモンド膜の形成のサイクル時間を短縮することができるダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 プラズマ化学気相蒸着により基板上に多結晶ダイヤモンド膜を形成する。この方法は、基板にイオン注入する工程と、得られた表面をこの表面に電気バイアスを印加しつつ炭素を含むプラズマに曝して配向したダイヤモンド結晶成長のために前記表面に核生成させる工程と、核生成した表面に炭素含有プラズマから結晶性ダイヤモンドを蒸着させる工程とを有する。

請求項（抜粋）：

プラズマ化学気相蒸着により基板上に多結晶ダイヤモンド膜を形成する方法において、基板にイオン注入する工程と、得られた表面をこの表面に電気バイアスを印加しつつ炭素を含むプラズマに曝して配向したダイヤモンド結晶成長のために前記表面に核生成させる工程と、核生成した表面に炭素含有プラズマから結晶性ダイヤモンドを蒸着させる工程とを有することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/04 Q ,  C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205