特許
J-GLOBAL ID：200903004683411400
ガス流量制御装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170229
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335280
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 ガス雰囲気を用いる装置において、ウエハの表面に均一な処理を施すことができるガス流量制御装置とその製造方法を提供すること。【構成】 ガス流量制御装置1は、ガスの流入孔3と流出孔4との間に圧力弁2を設ける。圧力弁2として、シリコン板12上に形成した加熱用配線24の上方を圧力調整室23を介して包囲する状態でダイアフラム21を設け、流出孔4下方のダイアフラム21上に調整ピン22を設ける。製造方法は、ダイアフラム21となる多結晶シリコン膜、流出孔4および通過孔5となる燐ガラス膜を第1シリコン板11に形成し、これと流入孔3、加熱用配線24および流量検出用配線25を形成し第2シリコン板12とを張り合わせ、燐ガラス膜を除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン板に穿設されたガスの流入孔と、前記シリコン板上に設けられ、かつ前記流入孔と前記ガスの流出孔との間を連通する空間が形成された圧力弁とから成るガス流量制御装置であって、前記圧力弁の前記空間内には、加熱用配線と、前記加熱用配線の上方を圧力調整室を介して包囲する状態で、かつ前記空間の内面との間に所定の隙間を設けて形成されたダイアフラムと、前記ダイアフラム上面に設けられ、前記流出孔から噴出する前記ガスの流量を調整するための調整ピンとから成ることを特徴とするガス流量制御装置。
IPC (6件)：
H01L 21/302
, C23C 14/54
, C23C 16/52
, C23F 4/00
, C30B 25/14
, H01L 21/31
