特許

J-GLOBAL ID：200903004691105980

超電導装置用基板の表面清浄化方法

発明者： 青山 生人 ,  中村 浩三
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318742
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、SrLaGaO4 単結晶やNdSrGaO4 単結晶基板表面の、水酸化物系のアモルファス層を、基板にダメージを与えることなく簡便に除去する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、SrLaGaO4 単結晶やNdSrGaO4 単結晶基板表面を、純水で洗浄した後、酸化物超電導薄膜を形成するに先立ち、0.05%〜3体積%の酸を含む有機溶剤に浸漬するようにしている。

請求項（抜粋）：

SrLaGaO4 単結晶基板あるいはNdSrGaO4 単結晶基板に酸化物超電導体薄膜を形成するに先立ち前記基板表面を、0.05%〜3体積%の酸を含む有機溶剤に浸漬する工程を含むことを特徴とする超電導装置用基板の表面清浄化方法

IPC (3件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 41/80 ZAA