特許

J-GLOBAL ID：200903004692357400

非還元性誘電体磁器組成物

発明者： 柴 田 将 充 ,  大 森 長 門 ,  浜 地 幸 生 ,  坂 部 行 雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314137
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124858
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：

【要約】【目的】 1080°C以下の低温で焼結し、かつ還元雰囲気で焼成しても電気的特性の劣化の生じない、非還元性誘電体磁器組成物を得る。【構成】 一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)TiO<SB>3 </SB>}(ただし、A,B,XおよびYはモル%)で表され、A,B,X,Yがそれぞれ、0≦A≦10,0.8≦B≦8,0≦X≦100,0≦Y≦70の範囲にある主成分に対し、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有し、さらに、MnO<SB>2 </SB>を0.01〜0.5重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物である。

請求項（抜粋）：

一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)TiO<SB>3 </SB>}(ただし、A,B,XおよびYはモル%)で表され、A,B,X,Yがそれぞれ0≦A≦10,0.8≦B≦8,0≦X≦100,0≦Y≦70の範囲にある主成分に、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有し、さらに、MnO<SB>2 </SB>を0.01〜0.5重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-079754
  
• 特開昭63-034802