特許
J-GLOBAL ID：200903004697766520
導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-002845
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】【目的】本発明は、基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さえ、接合強度が高く低温にて形成可能な導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法を提供することを目的とするものである。【構成】本発明は上記目的を達成するために、基板上に形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接合体及びその形成方法において、前記非晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして含有していることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接合体において、前記非晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして含有していることを特徴とする導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
IPC (3件)：
C03C 27/02
, C23C 14/08
, H01L 21/02
C03C 27/02 Z
, C23C 14/08 N
, H01L 21/02 C
