試料作成方法及びその装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132241
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333120
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】集束イオンビーム加工により、TEM試料を失敗することなく適切な厚さに仕上げることができる試料作製方法とその装置を提供することにある。【構成】集束イオンビームの位置ドリフト測定用マーク6を、集束イオンビーにより試料42の突起部1の観察領域4内に加工し、加工途中にビームの位置のドリフトを補正するためにこのマーク6を適切な頻度で集束イオンビームにより観察する際、観察領域4が薄膜部3にかからないようにする。また、薄膜部3の厚さを加工中にモニタすることで加工のし過ぎ、または加工不足を防ぐ。【効果】集束イオンビームの位置ドリフトがあっても精度よく薄膜部を加工することができる。また、薄膜部の厚さを加工中にモニタすることにより、適切な切り込み量を設定できる。これによりTEM試料を高い成功率で短時間に適切な厚さに仕上げることができ、TEM観察の能率を飛躍的に高める効果が得られる。

請求項（抜粋）：

集束イオンビーム加工により薄膜試料を作成するに際し、被加工物に集束イオンビームの位置ドリフト測定用マークを設け、所定の頻度で前記マークを走査2次荷電粒子像として観察をすることによりイオンビームの位置ドリフトを補正しながら前記被加工物を加工する方法であって、前記マークを、予め定められた所定の厚さに加工される薄膜部よりも外側に設け、前記集束イオンビームによる加工領域と観察領域の一辺が共に加工中の薄膜の加工面に接するか、もしくは前記観察領域の一辺が加工面に接触することなくその反対方向に離れた位置関係となるように設定して前記薄膜部を形成する工程を有して成る試料作成方法。

IPC (8件)：

G01N 1/28 , B23K 15/00 508 , C23F 4/00 , G01B 11/06 , H01J 37/26 , H01J 37/28 , H01J 37/317 , H01L 21/66

前のページに戻る